epitaxial silicon中文是什么意思

• 外延硅

• "silicon"中文翻译    n. ＝ silicium
• "epitaxial deposited silicon" 中文翻译 :    外延淀积硅
• "epitaxial silicon controlled rectifier" 中文翻译 :    外延硅可控整流管
• "silicon on sapphire epitaxial wafers" 中文翻译 :    蓝宝石外延片
• "silicon planar epitaxial transistor" 中文翻译 :    硅平面外延晶体管
• "n-channel silicon planar epitaxial jfet" 中文翻译 :    通道硅平面型外延接面型场效晶体管
• "epitaxial" 中文翻译 :    晶膜; 取向附生的，外延的; 外延的
• "silicon" 中文翻译 :    n. ＝ silicium
• "epitaxial backfill" 中文翻译 :    外延后填
• "epitaxial bath" 中文翻译 :    外延槽
• "epitaxial body" 中文翻译 :    外延衬底
• "epitaxial boundary" 中文翻译 :    定向连生边界
• "epitaxial collector" 中文翻译 :    外延集电极
• "epitaxial crystallization" 中文翻译 :    外延结晶，附生结晶
• "epitaxial cvd" 中文翻译 :    外延化学汽相淀积
• "epitaxial deposition" 中文翻译 :    外延沉积; 外延淀积
• "epitaxial device" 中文翻译 :    晶膜设备; 外延型器件
• "epitaxial diffuse" 中文翻译 :    外延扩散
• "epitaxial diode" 中文翻译 :    外延二极管
• "epitaxial dislocation" 中文翻译 :    取向附生位错
• "epitaxial effect" 中文翻译 :    外延生长作用
• "epitaxial film" 中文翻译 :    晶膜薄膜; 外延膜; 外延生长膜
• "epitaxial furnace" 中文翻译 :    外延炉; 外延生长炉
• "epitaxial growth" 中文翻译 :    取向附生，外延生长; 外延晶体生长，附生晶体生长; 外延生长
• "epitaxial inheritance" 中文翻译 :    外延继承

• Luminescent properties of c implanted epitaxial silicon
  外延硅的光致发光特性
• In this paper , the growth technology is presented for epitaxial silicon carbide films on sapphire with a buffer layer by atmospheric - pressure chemical vapor deposition ( apcvd ) process . the effect of temperature and precursors flow rates on the growth of silicon carbide films by chemical vapor deposition is analyzed . the structural properties of the films grown on sapphire compound substrate are studied by x - ray diffraction ( xrd ) , x - ray photospectroscopy ( xps ) and photoluminescence spectroscopy
  本论文提出了在蓝宝石上引入一层缓冲层材料形成复合衬底，采用常压化学气相淀积( apcvd )方法在其上异质外延生长sic薄膜的技术，分析了cvd法生长sic的物理化学过程，通过实验提出sic薄膜生长的工艺条件，并通过x射线衍射( xrd ) 、 x射线光电子能谱( xps ) 、光致发光谱( pl谱)和扫描电镜( sem )对外延薄膜的结构性质进行分析。
• Many factors which affect the epitaxy qualities , especially the porosity of porous silicon and growth temperature , have been studied in detail . it is found that the pre - oxidation of porous silicon can efficiently prevent the boron diffusion during epitaxy . the defaults along { 111 } are the main defects in epitaxial silicon layer
  深入研究了影响外延的各种因素，特别是多孔硅的孔隙率和外延温度对外延层质量的影响，发现多孔硅的预氧化可以有效地阻止外延时b的扩散，外延层中主要的缺陷是沿着{ 111 }面生长的层错。

• epitaxial silicon перевод